mercredi 7 septembre 2011

Préamplificateur à deux transistors FET


Amplificateur  à deux transistors FET:
schéma d’un préamplificateur utilisant
deux FET et permettant d’amplifier
d’environ 7 fois des signaux de moyenne
puissance d’au moins 600 mVpp, soit :
600 : 2,828 = 212 mVeff.

Figure 1 : Photo d’un des prototypes de la platine du préamplificateur.

CARACTÉRISTIQUES TECHNIQUES :
Tension d’alimentation 9 à 20 V
Courant consommé à 12 V 2 mA
Signal d’entrée minimal 600 mVpp
Signal de sortie maximal à 12 V 4 Vpp
Bande passante 10 Hz à 200 KHz
Gain moyen 7
Figure 2 : Schéma électrique (si vous voulez réduire labande passante
à 30 kHz, ajoutez un condensateur de 1 nF polyester entre les drains
des deux FET).
Figure 3 : Brochage G-D-S du FET J310 vu de dessous.

Figure 4a : Schéma d’implantation des composants du préamplificateur EN1599.



Liste des composants :
R1...... 100 k trimmer
R2...... 47 k
R3 ..... 4,7 k
R4...... 3,3 k
R5...... 150
R6...... 1 M
R7...... 10 k
R8...... 3,3 K
R9...... 3,3 k
R10 ... 100
R11 ... 47 k
C1...... 390 nF polyester
C2...... 10 μF électrolytique
C3...... 1 μF polyester
C4...... 100 μF polyester
C5...... 1 μF polyester
C6...... 1 μF polyester
FT1 .... FET J310
FT2 .... FET J310
Figure 4b : Dessin, à l’échelle 1, du circuit imprimé du préamplificateur EN1599.


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